11 月 19 日消息，韓國 ETNews 昨日報道稱，為重奪 DRAM 市場領導地位，三星計劃到 2026 年底將其 10nm 第六代 DRAM（1c DRAM）的月產能擴大到 20 萬片（晶圓），將達到公司整體 DRAM 總產量的三分之一。即便說三星 DRAM 業務重心明年將轉移至 1c 也毫不為過。

　　據 ETNews 稱，三星電子今年前三季度已經連續將 DRAM 市場龍頭地位拱手讓給 SK 海力士。三星將主因歸咎于核心 DRAM 業務。公司認定 DRAM 品質直接影響 HBM 競爭力，隨即啟動大規模設計革新。

　　1c DRAM 正是其努力的結果。消息人士稱 1c 近期已獲得內部認可，良率達到約 70%，穩定量產（良率 80~90%）指日可待。采用 1c DRAM 制造的 HBM4 良率也被確認突破 50%。

　　另外，三星電子歷經艱辛，終于敲定了向英偉達供應 HBM4 的協議，計劃從今年第四季度開始交付首批產品。隨著 HBM4 需求激增已成定局，該公司正全力投入 1c DRAM 產能建設。

　　服務器、PC 及移動設備用 DRAM 需求同樣推動了三星電子的投資布局。其中服務器 DRAM 需求因 AI 數據中心投資擴張而暴增。隨著數據中心運營商競相投入基礎設施以實現 AI 服務，服務器 DRAM 價格也正急劇攀升。

　　同時，增長放緩的 PC 和移動市場也正悄然復蘇。這得益于端側 AI 的興起。注意到，要想在終端設備上運行 AI 計算，大容量內存勢在必行。這意味著 DRAM 需求將大幅增加。PC 和移動設備市場也將成為支撐 DRAM 需求的重要支柱，預計將引發供應短缺。

　　對高性能內存的強勁需求，正是三星擴大 1c DRAM 生產占比的根本動因。而 1c DRAM 作為三星獨有的差異化武器，更加速了這一進程。

　　當競爭對手仍在使用 1b DRAM 時，三星已決定采用 1c DRAM 制造 HBM。此舉旨在通過領先一代的產品實現逆轉。三星正通過大規模擴充產能，試圖以 1c DRAM 顛覆市場格局。

　　行業人士指出：“三星電子憑借遠超競爭對手的生產能力主導市場，這種戰略在 1c DRAM 領域極可能重現。”

　　據介紹，1c 生產將通過擴建與工藝轉換推進，其中擴建以平澤第四工廠 (P4) 為核心，目前正處于設備進場與安裝階段。

　　工藝轉換則是指將 10 納米級 1x?1y?1z DRAM 生產線改造為 1c 制造專用產線，屬于技術遷移。此舉可最大限度利用現有生產線設備，僅引進必需設備，從而快速構建 DRAM 生產線，提升市場響應速度。

　　該方案在投資回報方面具有顯著成本節約效益。同時，此舉被解讀為縮減面臨中國激烈追趕的舊代 DRAM 產能，集中力量發展新一代 DRAM 以實現“超差距”戰略的決心。據悉，技術遷移工作正以多條生產線同步推進的方式展開。（問舟）