原標題：國產存儲站起來！長江存儲再度發招：起訴美光侵犯其11項美國專利

　　7月20日消息，據Tomshardware報道，中國3D NAND Flash大廠長江存儲（YMTC）近日在美國加利福尼亞州北部地區再度對美光提起訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11項專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產品。長江存儲要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權的存儲器產品，同時支付專利使用費。

　　長江存儲指控稱，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM產品（Y2BM系列）侵犯了長江存儲在美國提交的11項專利或專利申請。

　　值得一提的是，2023年11月，長江存儲還在美國加州北區地方法院對美光及其子公司美光消費類產品事業部提起訴訟，指控它們侵犯了其8項與3D NAND Flash相關的美國專利。

　　以下是訴訟中引用的八項專利：

　　US10950623：3D NAND存儲器件及其形成方法

　　US11501822：非易失性存儲器件及控制方法

　　US10658378：三維存儲器件的直通陣列接觸（TAC）

　　US10937806：三維存儲器件的直通陣列接觸（TAC）

　　US10861872：三維存儲裝置及其形成方法

　　US11468957：NAND存儲器操作的架構和方法

　　US11600342：三維存儲設備的讀取時間

　　US10868031：多堆疊三維存儲器件及其制造方法

　　今年6月7日，長江存儲由在美國加利福尼亞州北區聯邦地區法院提起訴訟，指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁羅絲琳·雷頓（Roslyn Layton）散布虛假信息，破壞長江存儲的市場聲譽和商業關系。

　　顯然，長江存儲正試圖通過專利來打擊美光，以獲得對抗美國打壓的籌碼。

　　美國商務部于2022年底將長江存儲列入了實體清單，這使得該公司無法從美國公司獲得先進的半導體設備來制造領先的128層及以上的3D NAND Flash器件。

　　盡管受到美國政府的嚴格限制，長江存儲仍繼續努力通過原有的設備及國產設備來幫助其發展其3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產品依然在奮力的維持生產，并正在開發新一代的Xtacking 4.0架構的3D NAND Flash。

　　今年早些時候，長江存儲還宣布，它已經設法將3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水平（達到4000個編程/擦除周期），這大大改善了廉價SSD的特性。