原標(biāo)題：三星電子攜手新思科技，3 納米制程技術(shù)已正式流片

　　三星電子日前宣布，3 納米制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。據(jù)悉，三星電子的 3 納米制程采用的是環(huán)繞式柵極（gate-all-around，GAA）晶體管架構(gòu)，性能優(yōu)于臺積電的 3 納米鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）架構(gòu)。

　　三星電子表示，因?yàn)?GAA 架構(gòu)需要一套不同于臺積電和英特爾使用的 FinFET 架構(gòu)的設(shè)計(jì)和鑒定工具，該公司采用了來自新思科技（Synopsys）的 Fusion Design Platform。該流程的物理設(shè)計(jì)套件（PDK）已于 2019 年 5 月發(fā)布，工具已于去年通過流程認(rèn)證。三星電子與新思科技的合作，旨在加速為 GAA 流程提供高度優(yōu)化的參考方法。

　　參考設(shè)計(jì)流程包括一個(gè)集成的、支持 golden-signoff 的 RTL-to-GDSII 設(shè)計(jì)流程以及 golden-signoff 產(chǎn)品。該流程針對的是希望將 3 納米 GAA 工藝用于高性能計(jì)算、5G、移動(dòng)和高級人工智能應(yīng)用中的芯片的客戶。

　　三星電子代工業(yè)務(wù)三星代工（Samsung Foundry）設(shè)計(jì)技術(shù)團(tuán)隊(duì)副總裁 Sangyun Kim 表示：「三星代工是推動(dòng)下一階段行業(yè)創(chuàng)新的核心，我們不斷進(jìn)行基于工藝技術(shù)的發(fā)展，以滿足專業(yè)和廣泛市場應(yīng)用日益增長的需求。我們最新的、先進(jìn)的 3 納米 GAA 工藝得益于我們與新思科技的廣泛合作，以及 Fusion Design Platform 的加速準(zhǔn)備，使 3 納米工藝的承諾能夠有效實(shí)現(xiàn)，這是這些關(guān)鍵聯(lián)盟的重要性和利益的證明。」

　　三星電子表示，GAA 架構(gòu)改善了靜電特性，提高了性能，降低了功耗，并增加了基于納米片寬控制的額外矢量的新優(yōu)化機(jī)會的好處。與成熟的電壓閾值調(diào)諧配合使用，這為優(yōu)化功率、性能或面積設(shè)計(jì)提供了更多方法 （PPA）。設(shè)計(jì)流程還包括支持復(fù)雜的布局方法和布局規(guī)則、新的布線規(guī)則和增加的可變性。該流程基于單一數(shù)據(jù)模型，并使用通用優(yōu)化架構(gòu)，而不是組合點(diǎn)工具。

　　GAA 晶體管架構(gòu)標(biāo)志著工藝技術(shù)進(jìn)步的一個(gè)關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)，這對于保持下一波超大規(guī)模創(chuàng)新所需的擴(kuò)展軌跡至關(guān)重要，新思科技數(shù)字設(shè)計(jì)集團(tuán)總經(jīng)理尚卡爾·克里希納摩爾（Shankar Krishnamoorthy）表示?！肝覀兣c三星代工在支持共同交付一流技術(shù)和解決方案方面的戰(zhàn)略合作，確保了這些擴(kuò)展趨勢的持續(xù)，以及這些趨勢為更廣泛的半導(dǎo)體行業(yè)提供的相關(guān)機(jī)會?！?/p>

　　之前曾有媒體報(bào)道稱，三星電子有望在 2022 年量產(chǎn) 3 納米制程芯片。而作為三星電子在芯片代工領(lǐng)域的最主要競爭對手，臺積電也預(yù)計(jì)在 2022 年下半年量產(chǎn) 3 納米芯片。