原標題：英特爾全力押注 EUV 工藝 爭取首發下代高 NA 光刻機

　　Intel 這幾年在工藝進度上落后跟 10nm、7nm 工藝多次跳票有關，而新工藝延期也跟 Intel 此前不考慮 EUV 工藝有關，所以 10nm 工藝才上了四重曝光，導致良率上不去，遲遲無法量產。

　　Intel 之前認為 EUV 工藝不夠成熟，現在 EUV 光刻工藝已經量產幾年了，Intel 也開始跟進了，原先的 7nm 工藝、現在的 Intel 4 工藝會是全面使用 EUV 光刻機的開始，首款產品是 Meteor Lake 流星湖，2023 年發布。

　　之后的 Intel 3 工藝、Intel 20A 工藝上也會持續利用 EUV 工藝，進一步提升性能及能效。

　　再往后 Intel 還會積極跟進 EUV 技術發展，2025 年之后的工藝已經規劃到了 Intel 18A，將使用第二代 RibbonFET 晶體管，EUV 光刻機也會有一次重大升級。

　　Intel 表示致力于定義、構建和部署下一代 High-NA EUV，有望率先獲得業界第一臺 High-NA EUV 光刻機。

　　Intel 目前正與 ASML 密切合作，確保這一行業突破性技術取得成功，超越當前一代 EUV。

　　這就意味著 Intel 很有可能首發下一代 EUV 光刻機，NA 數值孔徑從目前的 0.33 提升到 0.5，這是 ASML 的 NXE：5000 系列，之前預計是在 2023 年問世，現在推遲到了 2025-2026 年，單臺售價預計將超過 3 億美元，差不多人民幣 20 億一臺。

　　Intel 為了超越臺積電、三星重返半導體技術一哥，現在可以說是拼了老命了，對玩家來說這倒是好事，以往的帶頭大哥回來了。