原標題：國內首條 28/22nm ReRAM 12 寸芯片產線完成試生產

　　存儲芯片中除了 NAND 閃存及 DRAM 內存之外，還有多種技術選擇，ReRAM(非易失性阻變式存儲器) 就是其中一種，其寫入壽命可達 100 萬次，此前主要是生產難度大，現在杭州昕原半導體主導建設了國內首條 28/22nm ReRAM 12 寸中試生產線。

　　據杭州日報消息，昕原半導體主導建設的國內首條 28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12 寸中試生產線順利完成了自主研發設備的裝機驗收工作，實現了中試線工藝流程的通線，并成功流片（試生產）。

　　傳統 CMOS 代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發進度，而國內各大科研院所雖可在實驗室階段加快迭代速度，但沒有標準的 12 寸量產產線，實驗成果往往很難走向量產。

　　昕原自行搭建的 28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12 寸中試生產線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實驗室的長處，迭代速度快， 產線靈活，擁有自主可控的知識產權，使得 ReRAM 相關產品的快速實現變成了可能。

　　作為大陸首條 28/22nm ReRAM12 寸中試生產線，我們產線的順利導通并完成產品的驗證和實現量產，將極大帶動我國新型存儲行業發展。

　　昕原半導體相關負責人表示，「而在這一領域，目前國內外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產業實現‘彎道超車’提供了可能。」