原標題：俄羅斯國產光刻機路線圖曝光：三步走、2036年前完成EUV

　　9月28日消息，俄羅斯計算機與數據科學博士Dmitrii Kuznetsov公布俄國產光刻機三步走路線圖：2026-2028年先造40nm雙反射鏡機型，套刻10nm，每小時5片；2029-2

　　9月28日消息，據報道，俄羅斯計算機與數據科學博士Dmitrii Kuznetsov近日分享了俄羅斯最新光刻機研發路線圖。

　　根據該路線圖，俄羅斯最終目標是在2036年前完成可用于10nm以下先進制程的極紫外線（EUV）光刻機的研發。

　　具體來看分為三個主要階段：

　　第一階段（2026-2028年）的目標是研發支持40nm工藝的光刻機，配備雙反射鏡物鏡系統，套刻精度達10nm，曝光場最大3×3毫米，每小時生產效率超5片晶圓。

　　第二階段（2029-2032年）將推出分辨率為65-28nm（潛力為14 nm）的光刻機，采用四反射鏡光學系統，套刻精度提升至5nm，曝光場26×0.5毫米，每小時生產效率超50片晶圓。

　　第三階段（2033-2036年）推出分辨率為28-13nm（潛力為9nm）的光刻機，搭載六反射鏡配置，套刻精度達2nm，曝光場最大26×2毫米，每小時生產效率超100片晶圓。

　　這些設備預計可覆蓋65nm至9nm的制程需求，適配2025-2027年主流關鍵層工藝。

　　不過需要注意的是，該EUV系統方案并未復制ASML的架構，而是采用了一套不同的技術體系：混合固態激光器、基于氙等離子體的光源，以及由釕和鈹（Ru/Be）制成的11.2nm波長反射鏡。